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GA0805Y392JBABR31G 发布时间 时间:2025/5/29 12:06:53 查看 阅读:11

GA0805Y392JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效性能。
  其封装形式为 TO-252(DPAK),能够提供优异的散热性能,适合在紧凑型设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关频率:高达 1MHz
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

GA0805Y392JBABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关能力,可满足高频应用需求。
  3. 小型封装设计,适合空间受限的应用场景。
  4. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的抗静电能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 工业自动化设备中的功率转换
  5. 汽车电子系统中的负载切换
  6. LED 驱动电路
  7. 其他需要高效功率转换的场景

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  AOT460
  STP55NF06L

GA0805Y392JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-