型号：NL08JTR91
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-723
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：60 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID：100 mA（@25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：400 mA
　　导通电阻RDS(on)：4.5 Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0 V（典型值）
　　输入电容Ciss：8 pF（@VDS=10V）
　　输出电容Coss：4 pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容Crss：0.8 pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：5 ns
　　关断延迟时间td(off)：10 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

NL08JTR91具备多项关键特性，使其在同类小信号MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为4.5Ω（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。其次，该器件拥有极快的开关响应能力，开启延迟时间为5ns，关断延迟时间为10ns，能够支持高频开关操作，适用于需要快速信号切换或脉宽调制（PWM）控制的应用场景，如LED亮度调节或数字信号路由。
　　另一个重要特点是其微型SOT-723封装，尺寸仅为2.2mm x 1.35mm x 0.95mm，极大节省了印刷电路板（PCB）的空间，非常适合高集成度的便携式电子产品设计。尽管体积小巧，但NL08JTR91仍具备良好的热传导性能，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。此外，其栅极阈值电压典型值为1.0V，最低可在1.8V逻辑电平下可靠触发，兼容现代低压微控制器和数字逻辑电路，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。
　　该MOSFET还具备出色的电容特性，输入电容Ciss为8pF，输出电容Coss为4pF，反向传输电容Crss仅为0.8pF，这意味着它对高频噪声的敏感度较低，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。同时，漏源击穿电压高达60V，提供了足够的安全裕量，即使在瞬态电压波动较大的环境中也能确保长期可靠性。最后，NL08JTR91经过严格的生产测试，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，并支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色制造的需求。

NL08JTR91广泛应用于多种低功耗、高密度的电子系统中。在移动消费类电子产品中，常被用作电源路径控制开关，例如在智能手机和平板电脑中实现不同功能模块的上电时序管理或休眠模式下的电源隔离，从而降低待机功耗。由于其支持低电压驱动，也常用于微控制器GPIO扩展后的负载驱动，控制LED指示灯、蜂鸣器或其他外围设备的通断。
　　在便携式医疗设备如血糖仪、心率监测器中，NL08JTR91可用于传感器电源的动态启停控制，仅在需要测量时供电，进一步优化能耗表现。此外，在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中，该器件可用于天线切换或多频段信号路由，利用其快速响应能力和低插入损耗保证信号完整性。
　　工业自动化领域中，NL08JTR91适用于PLC输入输出接口的信号调理电路，作为固态继电器替代方案实现无触点开关，提升系统寿命与稳定性。在LED照明系统中，尤其是RGB灯带或智能照明面板中，该MOSFET可用于每个颜色通道的独立调光控制，配合PWM信号实现精准亮度调节。
　　另外，由于其小型封装和高可靠性，NL08JTR91也被广泛用于可穿戴设备（如智能手表、健身追踪器）中的电源管理单元（PMU）子电路，执行电池与充电电路之间的隔离控制，或用于耳机、TWS设备中的音频通道切换。总之，凡是对空间、功耗和响应速度有较高要求的低压开关场合，NL08JTR91都是一个极具竞争力的选择。

PMBFJ108, BSS138AK, 2N7002EK, ZXMN2F30FH, FDN302P