类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：范围通常在 110 到 800 之间，具体取决于工作电流
　　频率响应（fT）：250MHz（典型值）
　　封装类型：SOT-23

JX2N1991S 晶体管具备多种优良特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，它具有较高的电流增益（hFE），可以在不同工作条件下提供稳定的放大性能。根据数据手册，其 hFE 值可在 110 到 800 之间变化，具体数值取决于集电极电流的大小，这使得它在小信号放大和开关应用中都能表现出色。
　　其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 40V，最大集电极电流为 100mA，适合中低功率的应用场景。其 SOT-23 封装形式具有体积小、重量轻、便于表面贴装等优点，非常适合用于高密度 PCB 设计。
　　此外，JX2N1991S 的频率响应特性也相当出色，典型 fT（过渡频率）为 250MHz，因此可以在射频（RF）或高速开关电路中使用。它还具有良好的热稳定性，在工作温度范围内能够保持稳定的性能表现。
　　在可靠性方面，JX2N1991S 经过严格的测试和验证，符合 RoHS 环保标准，并具备较强的抗静电能力和抗干扰性能，适合工业级应用环境。

JX2N1991S 主要用于各种中低功率的电子电路设计中，包括信号放大、数字开关、电压调节、LED 驱动、传感器接口以及音频放大器的前置级等。由于其较高的频率响应特性，该晶体管也常用于射频前端电路或数据通信设备中的信号处理模块。
　　在工业自动化设备中，JX2N1991S 可用于控制继电器、光耦隔离电路或小型电机的驱动电路中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等，该晶体管可用于电源管理、逻辑控制或传感器信号调理。
　　此外，JX2N1991S 也常用于教学实验和原型设计中，因其参数适中、封装小巧且易于获取，是电子工程学生和开发者常用的晶体管型号之一。

2N3904, BC847, 2N2222A, PN2222A