时间：2025/9/3 8:29:01
阅读：9
ENI30B是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管系列。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具备低导通电阻、高开关速度和高耐压特性。ENI30B常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。该器件采用TO-220AB封装，便于散热和安装，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.32Ω
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
ENI30B MOSFET具有多个优异的电气和物理特性，使其在各种功率电子应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（300V）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，ENI30B的导通电阻较低（最大0.32Ω），在高电流工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的体积和重量。ENI30B的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了与不同驱动电路的兼容性。该器件还具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（80W），确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。ENI30B的TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，适合在工业环境和恶劣条件下使用。
ENI30B广泛应用于多种功率电子设备中，特别是在需要高电压和高效率的场合。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、UPS不间断电源、电机控制和驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，ENI30B也常用于电源适配器、充电器和工业电源模块的设计中。在这些应用中，ENI30B不仅能提高系统的整体效率，还能增强系统的稳定性和可靠性。
STW15NM50ND, IRF840, FDPF15N30, FQA15N30C
