LN6206P182MR 时间：2025/5/9 9:15:47 阅读：7

LN6206P182MR是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和DC-DC转换等场景中。它特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。

参数

型号：LN6206P182MR
　　封装：TO-263-3
　　Vds（漏源电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：79A
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　功耗：150W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

LN6206P182MR具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值为4.5mΩ时能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定漏极电流（Id），可支持高达79A的连续电流，满足大功率应用需求。
　　3. 快速开关性能，使得其在高频开关应用中表现出色，如开关电源和逆变器。
　　4. 具备优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行，适应工业级和汽车级环境要求。
　　5. 小型化封装设计（TO-263-3），有助于简化PCB布局并节省空间。

应用

LN6206P182MR适用于多种电力电子应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
　　2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
　　3. DC-DC转换器和升压/降压电路中的功率开关元件。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 汽车电子领域中的电池管理系统和启动电路。