型号：UVK2DR33MED1TD
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　技术：TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）
　　封装/外壳：PowerPAK 1212-8S
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：30V
　　最大直流阻断电压 VR：30V
　　最大RMS电压 VRMS：21V
　　最大正向电流 IF（连续）：4A（每芯片2A）
　　峰值正向电流 IFSM（非重复，8.3ms正弦波）：60A
　　正向电压 VF（典型值 @ IF = 4A, TJ = 25°C）：0.57V
　　反向漏电流 IR（@ VR = 30V, TJ = 25°C）：≤ 100μA
　　反向漏电流 IR（@ VR = 30V, TJ = 125°C）：≤ 1.0mA
　　结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　热阻 RθJC（结到外壳）：1.5°C/W
　　极性：双共阴极

UVK2DR33MED1TD采用Vishay独有的TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）技术，这种结构通过在硅片上构建沟槽式MOS屏障，优化了金属-半导体界面的电场分布，从而在保持传统肖特基二极管低正向压降优势的同时，大幅抑制了反向漏电流。这一特性对于高温环境下工作的电源系统尤为重要，因为在高温时普通肖特基二极管往往会出现显著增大的漏电流，导致功耗上升甚至热失控。而UVK2DR33MED1TD即使在125°C结温下，反向漏电流仍被控制在1.0mA以内，表现出卓越的热稳定性和可靠性。此外，其低VF特性（典型值仅为0.57V @ 4A）意味着在大电流导通状态下产生的热量更少，有助于提高电源转换效率并简化散热设计。
　　该器件采用PowerPAK 1212-8S封装，尺寸紧凑（约3.3mm x 2.4mm），非常适合高密度PCB布局。该封装具有低热阻（RθJC = 1.5°C/W），能够高效地将内部产生的热量传导至PCB，避免局部过热。引脚设计优化了电流分配和焊接可靠性，支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产。双共阴极结构使得两个肖特基二极管共享同一个阴极连接，常用于同步整流拓扑或需要双路独立但共地整流的场合，如多相DC-DC转换器中的输出整流级。此外，器件具备优良的抗浪涌能力，可承受高达60A的非重复峰值电流，增强了系统在启动或负载突变时的鲁棒性。所有材料均符合RoHS标准，不含铅、镉等有害物质，满足工业与消费类电子产品对环保的严格要求。

UVK2DR33MED1TD广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括低压DC-DC转换器，尤其是在笔记本电脑、服务器和通信设备的多相降压变换器中作为同步整流器使用。其低正向压降和快速开关特性有助于显著提升轻载与满载条件下的转换效率，满足日益严格的能效标准。此外，该器件也适用于电池供电设备中的反向极性保护电路，防止因电池误插导致的系统损坏。在便携式消费电子产品如智能手机和平板电脑中，可用于电源路径管理和充电回路中的隔离二极管，确保不同电源源（如USB电源与电池）之间的安全切换。
　　在电机驱动和LED驱动电路中，UVK2DR33MED1TD可用于续流或箝位功能，吸收感性负载关断时产生的反电动势，保护主开关器件（如MOSFET）。由于其快速恢复特性（本质上是多数载流子器件，无少子存储效应），能够有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）。在电信整流模块和分布式电源架构中，该器件也可用于OR-ing电路，实现冗余电源的无缝切换。此外，得益于其宽工作温度范围和高可靠性，UVK2DR33MED1TD还适用于工业控制、汽车电子（非引擎舱应用）以及网络基础设施设备等对长期稳定性要求较高的领域。