产品系列：NL03K
　　电感值：2.2nH
　　电感公差：±5%
　　封装尺寸：1.0mm x 0.5mm x 0.5mm
　　封装类型：0402（英制）
　　直流电阻（DCR）：典型值约0.32Ω
　　自谐振频率（SRF）：最小值约6.0GHz
　　额定电流：最大持续电流约350mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　焊接耐热性：符合JIS C 60068-2标准
　　磁屏蔽类型：非屏蔽型（开放式磁路）
　　温度系数：±30ppm/°C以内
　　终端电极材料：镍/锡电镀层
　　抗弯强度：符合IEC 60068-2-21标准

NL03KT2R2作为TDK Nano系列中的高频小功率电感器，具备多项卓越的技术特性，使其在现代高频电子电路中表现出色。首先，该器件采用了高性能陶瓷材料与精细薄膜工艺制造，实现了在极小体积下仍能维持精确的电感值。其2.2nH的标称电感值配合±5%的严格公差控制，确保了在射频匹配网络中的一致性和可重复性，尤其适用于移动通信设备中的阻抗匹配电路。其次，NL03KT2R2拥有较高的自谐振频率（SRF），最低可达6.0GHz以上，这意味着它在GHz级别的高频应用中仍能保持良好的电感行为，避免因接近谐振点而导致性能下降的问题。这对于Wi-Fi、蓝牙、5G射频前端等高频系统至关重要。
　　此外，该电感器的直流电阻（DCR）较低，典型值约为0.32Ω，有助于减少功率损耗并提高电源效率。尽管其额定电流相对较小（最大持续电流约350mA），但在高频信号路径中主要承担交流能量传输任务，因此这一电流水平已足以满足大多数射频应用场景的需求。NL03KT2R2还具备优良的温度稳定性，其电感值随温度变化的漂移极小，温度系数控制在±30ppm/°C以内，保证了在宽温环境下工作的可靠性。同时，该器件通过了严格的环境测试，包括耐高温、耐湿、抗机械冲击和弯曲应力测试，符合IEC和JIS相关标准，适合自动化表面贴装工艺（SMT），并能在回流焊过程中保持结构完整性。
　　另一个显著特点是其非屏蔽结构设计，在保持小型化的同时提供了适度的磁场泄漏控制，适用于对空间极度敏感但不需要完全磁屏蔽的应用场合。虽然这种结构可能在极高密度布局中引发轻微耦合问题，但通过合理布线可以有效规避。总体而言，NL03KT2R2凭借其微型化、高频性能优异、参数稳定和高可靠性等特点，成为高频模拟和射频电路设计中的理想选择，特别是在追求极致小型化的消费类电子产品中得到了广泛应用。

NL03KT2R2多层陶瓷电感器广泛应用于高频电子电路中，尤其适合对尺寸和性能有严苛要求的便携式通信设备。其主要应用领域包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和无线耳机）中的射频前端模块（RF Front-End Module, FEM）。在这些设备中，NL03KT2R2常用于构建LC匹配网络，以实现功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）与天线之间的最佳阻抗匹配，从而提升信号发射效率和接收灵敏度。此外，该电感器也广泛用于Wi-Fi（2.4GHz和5GHz频段）、蓝牙（Bluetooth）、ZigBee以及5G NR Sub-6GHz频段的无线通信模块中，作为滤波器、谐振电路或去耦元件使用，帮助抑制高频噪声并增强系统电磁兼容性（EMC）。
　　在射频识别（RFID）系统和近场通信（NFC）模块中，NL03KT2R2可用于构成谐振回路的一部分，配合电容形成调谐电路，确保在指定频率下高效工作。由于其高达6GHz以上的自谐振频率，该器件特别适合用于GHz级信号路径中，避免传统绕线电感在高频下因寄生电容导致性能劣化的问题。此外，在高速数字电路中，NL03KT2R2也可用作局部去耦电感，配合旁路电容为射频IC或毫米波芯片提供干净的供电路径，减少电源噪声对敏感模拟电路的影响。
　　得益于其微小的0402封装尺寸和可靠的贴装性能，NL03KT2R2非常适合高密度PCB布局，尤其是在空间受限的主板边缘区域或模块化集成设计中。它也被广泛应用于各类传感器模块、物联网（IoT）终端设备以及小型化基站单元中，支持多种无线协议下的稳定通信。此外，该器件还可用于测试测量仪器中的高频探头或滤波电路，作为标准高频电感元件参与信号调理。总之，NL03KT2R2凭借其高频特性、小型化优势和稳定的电气性能，在现代无线通信和高频模拟电路中发挥着关键作用。

LQW15AN2N2D00D
　　LL1005T-R2N2
　　DT1005C-2R2XNL
　　CM03FT2R2