时间：2025/7/28 8:23:43
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NKR131SB是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：1.3A
漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
NKR131SB具有优异的导通性能和较低的开关损耗，使其在高频率开关应用中表现良好。该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。此外，其高耐压能力和良好的热稳定性确保了在恶劣工作环境下的可靠性。
这款MOSFET的栅极驱动要求较低，能够在较宽的电压范围内工作，适合用于电池供电设备和便携式电子产品。其快速的开关响应时间也有助于提高系统的整体效率和响应速度。
NKR131SB的结构设计优化了电流分布和散热性能，有效降低了热阻，提高了器件的长期稳定性。这种MOSFET在制造过程中采用了环保材料，符合RoHS标准，适用于对环境要求较高的应用场合。
NKR131SB常用于电源管理、DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关和小型电机控制电路中。它也适用于便携式电子设备、工业自动化和通信设备中的功率控制应用。
2N7002, 2N3904, BSS138
