时间：2025/6/30 13:08:38
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STP70NS04ZC是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的功率MOSFET技术，适用于高效率开关应用。其主要特点是低导通电阻和快速开关速度，能够在高频工作条件下保持高效性能。
STP70NS04ZC的设计使其非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及各种开关电路中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：680pF
开关时间：典型值开启时间为39ns，关闭时间为17ns
功耗：38W
封装形式：DPAK（TO-252）
STP70NS04ZC具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，其快速的开关速度减少了开关损耗，适合高频应用环境。器件的热稳定性良好，能够承受较高的结温范围（-55°C至+150°C），并且具备出色的电气性能和可靠性。
由于采用了优化的硅片设计和封装工艺，STP70NS04ZC在高温环境下依然可以保持稳定的性能表现。此外，它还拥有较低的栅极电荷和输出电容，进一步提升了开关效率和动态性能。
STP70NS04ZC广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统
5. 电动工具和家电中的功率控制
6. 工业自动化设备中的功率模块
其高性能和可靠性使得该MOSFET成为需要高效能功率切换的理想选择。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5570
IXYS: IXTH75N04T2
