时间：2025/4/28 15:13:33
阅读：3
SQ3D02600A2JBA 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，能够提供高效率和高可靠性的功率转换解决方案。该器件广泛应用于电动汽车、工业电源、太阳能逆变器和其他需要高电压和快速开关的应用领域。
此芯片基于 SiC 材料特性，具备低导通电阻、高开关速度和高耐压能力，从而显著降低系统损耗并提升整体效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：145nC
反向恢复时间：75ns
工作结温范围：-55℃ to 175℃
SQ3D02600A2JBA 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关性能，适用于高频操作环境。
3. 高耐压能力，支持高达 1200V 的漏源电压。
4. 热稳定性强，能够在宽温度范围内保持一致的性能。
5. 内置保护功能，提高系统可靠性。
6. 小型化设计，便于在紧凑空间中使用。
SQ3D02600A2JBA 主要用于以下领域：
1. 电动车牵引逆变器。
2. 工业电机驱动器。
3. 太阳能光伏逆变器。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. DC-DC 转换器。
6. 其他需要高效功率转换的设备。
SQ3D02600A2JBB, SQ3D02600A2JBC
