时间：2025/6/5 20:40:26
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NJW0281G 是一款由 New Japan Radio (NJRC) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263 封装形式，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效功率管理的理想选择。
该芯片具有较高的耐压能力和较低的导通损耗，适用于需要高频切换和低功耗的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.2A
脉冲漏极电流：8.4A
栅源开启电压：2.5V
导通电阻（典型值）：0.07Ω
总功耗：29W
结温范围：-55℃ 至 150℃
NJW0281G 的主要特性包括以下几点：
1. 采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗。
2. 高额定电流和电压，能够适应多种功率转换需求。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 紧凑型 TO-263 封装，有助于简化 PCB 设计并节省空间。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
NJW0281G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流或降压升压电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 小型电机驱动及控制。
5. LED 驱动器和汽车电子设备中的功率调节。
6. 工业自动化设备中的功率级模块。
NJW4305G, IRFZ44N, FDP5570
