PTVSHC3N18VU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高频开关应用场合。其出色的热特性和电气性能使其成为电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
PTVSHC3N18VU 的额定电压为 18V,能够在较高的电流负载下稳定运行,同时提供高效的能量转换。由于其封装形式优化了散热性能,因此可以应用于紧凑型设计中。
最大漏源电压:18V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:50A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,Vgs=10V时)
输入电容:1450pF
开关时间:开启时间25ns,关断时间15ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
PTVSHC3N18VU 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用。
3. 较高的电流承载能力,满足大功率需求。
4. 增强的热性能,确保在高温环境下的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 内置反向二极管,可减少电路复杂性。
7. 封装形式支持表面贴装和插件安装,便于灵活设计。
这些特点使 PTVSHC3N18VU 成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。
PTVSHC3N18VU 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源系统如太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 各种 DC-DC 转换器以实现高效能量传递。
6. 汽车电子领域,例如启动电机、刹车系统和照明控制。
凭借其卓越的性能和可靠性,PTVSHC3N18VU 在多个行业中得到了广泛应用。
IRLB8748PBF, AO3400A