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PTVSHC3N18VU 发布时间 时间:2025/5/27 18:19:21 查看 阅读:12

PTVSHC3N18VU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高频开关应用场合。其出色的热特性和电气性能使其成为电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
  PTVSHC3N18VU 的额定电压为 18V,能够在较高的电流负载下稳定运行,同时提供高效的能量转换。由于其封装形式优化了散热性能,因此可以应用于紧凑型设计中。

参数

最大漏源电压:18V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  输入电容:1450pF
  开关时间:开启时间25ns,关断时间15ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

PTVSHC3N18VU 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 较高的电流承载能力,满足大功率需求。
  4. 增强的热性能,确保在高温环境下的稳定性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 内置反向二极管,可减少电路复杂性。
  7. 封装形式支持表面贴装和插件安装,便于灵活设计。
  这些特点使 PTVSHC3N18VU 成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。

应用

PTVSHC3N18VU 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 新能源系统如太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 各种 DC-DC 转换器以实现高效能量传递。
  6. 汽车电子领域,例如启动电机、刹车系统和照明控制。
  凭借其卓越的性能和可靠性,PTVSHC3N18VU 在多个行业中得到了广泛应用。

替代型号

IRLB8748PBF, AO3400A

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