PTVSHC3N18VU 时间：2025/5/27 18:19:21 阅读：16

PTVSHC3N18VU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关应用场合。其出色的热特性和电气性能使其成为电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用的理想选择。
　　PTVSHC3N18VU 的额定电压为 18V，能够在较高的电流负载下稳定运行，同时提供高效的能量转换。由于其封装形式优化了散热性能，因此可以应用于紧凑型设计中。

参数

最大漏源电压：18V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　输入电容：1450pF
　　开关时间：开启时间25ns，关断时间15ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

PTVSHC3N18VU 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用。
　　3. 较高的电流承载能力，满足大功率需求。
　　4. 增强的热性能，确保在高温环境下的稳定性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　6. 内置反向二极管，可减少电路复杂性。
　　7. 封装形式支持表面贴装和插件安装，便于灵活设计。
　　这些特点使 PTVSHC3N18VU 成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。

应用

PTVSHC3N18VU 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换。
　　4. 新能源系统如太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　5. 各种 DC-DC 转换器以实现高效能量传递。
　　6. 汽车电子领域，例如启动电机、刹车系统和照明控制。
　　凭借其卓越的性能和可靠性，PTVSHC3N18VU 在多个行业中得到了广泛应用。