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PEMD13 发布时间 时间:2025/9/15 2:24:15 查看 阅读:12

PEMD13是一款常见的功率MOSFET模块,广泛应用于电力电子领域。该模块通常采用先进的半导体技术制造,具备高功率密度、低导通损耗和快速开关特性。PEMD13通常用于工业电机控制、电动汽车、电池管理系统以及可再生能源系统等高要求应用场合。其封装设计紧凑,便于安装和散热,适用于高电流和高电压环境。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电压(VDS):1200V
  最大漏极电流(ID):130A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为2.2mΩ
  封装形式:双列直插式封装(DIP)或表面贴装封装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  短路耐受能力:具备一定的短路耐受能力
  热阻(Rth):根据散热设计不同而变化
  绝缘电压:最大2500VAC

特性

PEMD13功率MOSFET模块在电力电子应用中表现出色,其主要特性包括高电压和大电流承载能力,使其适用于高功率需求的场合。该模块的导通电阻较低,能够有效减少导通损耗,提高系统效率。此外,PEMD13具备快速开关特性,有助于降低开关损耗,提高工作频率。模块采用高质量的封装材料,确保了良好的绝缘性能和机械强度,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。PEMD13还具备较强的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。其封装设计考虑了散热需求,热阻较低,有助于有效散热,提高模块的使用寿命。

应用

PEMD13广泛应用于多种高功率电力电子系统中,包括工业电机驱动器、电动汽车的电驱系统、充电模块、电池管理系统(BMS)、光伏逆变器以及储能系统。在这些应用中,PEMD13能够提供高效、稳定的功率转换和控制,满足对高可靠性和高效率的需求。此外,由于其紧凑的封装设计和良好的散热性能,PEMD13也适用于对空间和重量有严格要求的应用场景。

替代型号

PEMD12, PEMD14

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PEMD13参数

  • 典型电阻比0.1
  • 典型输入电阻器4.7 k
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.3mm
  • 封装类型SSMini
  • 尺寸1.7 x 1.3 x 0.6mm
  • 引脚数目6
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大发射极-基极电压10 V
  • 最大连续集电极电流100 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.1 V
  • 最小直流电流增益100
  • 最高工作温度+150 °C
  • 配置
  • 长度1.7mm
  • 高度0.6mm