GA1210A822KXCAT31G是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的封装工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特性,适用于电源管理、无线充电、D类音频放大器以及其他高频电力电子领域。
这款芯片结合了氮化镓材料的优异性能与现代半导体制造工艺,能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
型号:GA1210A822KXCAT31G
类型:增强型场效应晶体管(e-mode FET)
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压(V_DS):650V
最大栅源电压(V_GS):+6V/-4V
连续漏极电流(I_D):10A
导通电阻(R_DS(on)):40mΩ(典型值,@ V_GS=6V)
总栅极电荷(Q_g):75nC(最大值)
反向恢复时间(t_rr):小于50ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-4L
1. 高效开关性能:得益于GaN材料的低寄生电感和电容特性,此款晶体管能够在高频下实现低损耗运行。
2. 快速开关速度:相比传统硅基MOSFET,GA1210A822KXCAT31G拥有更快的开关响应时间,从而降低了开关损耗。
3. 高功率密度:其紧凑的设计使得设备可以支持更高的功率输出,同时占用更少的空间。
4. 稳定性与可靠性:通过严格的测试流程确保产品在极端条件下的长期稳定性和可靠性。
5. 宽禁带半导体优势:利用GaN宽禁带特性,在高温和高压环境下表现优异。
1. 开关电源(SMPS):
- AC/DC转换器
- DC/DC转换模块
2. 电机驱动控制:
- 无刷直流电机控制器
- 智能家电中的高效驱动电路
3. 充电器及适配器:
- 快速充电解决方案
- 笔记本电脑充电器
4. 无线充电:
- 高效无线电力传输系统
5. D类音频放大器:
- 提供纯净音质的同时降低能耗
6. 新能源汽车:
- 车载逆变器
- 电池管理系统中的高效元件
GAN063-650WSA
PSMN0R9-60YL
IXGH60N65B