类型：功率MOSFET
　　工艺技术：Trench沟槽技术
　　最大漏极-源极电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：12A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：12.5mΩ（最大值）
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC（典型值）
　　封装形式：PowerPAK? 8x8L Dual Cool?
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　配置：单N沟道MOSFET
　　功耗(Pd)：4W（在25°C）

NJVMJD41CT4G-VF01 MOSFET采用了先进的沟槽技术，能够在高频率和高负载条件下提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。其PowerPAK? 8x8L Dual Cool?封装不仅提供了优良的热管理性能，还支持双面散热，使器件在高功率应用中保持稳定的温度。该器件的栅极电荷较低，有利于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种严苛的工作环境。该MOSFET具备高电流能力和良好的热稳定性，能够在重载条件下保持可靠运行，减少系统故障率，延长使用寿命。

NJVMJD41CT4G-VF01 MOSFET主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。此外，它还可用于工业自动化设备、通信电源系统和汽车电子系统中，提供高可靠性和高效能的功率控制方案。

SiR144DP-T1-GE3, FDS4410A, FDBL0150N30C, NVMFD5C431NLTAG