时间：2025/6/21 3:56:30
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251R14S6R8DV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计旨在提高效率并降低功耗，非常适合需要高效能量转换的应用场景。
这款芯片通常以表面贴装的形式提供，方便自动化生产和焊接，同时减少了封装对电气性能的影响。
型号：251R14S6R8DV4T
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：14A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷（Qg）：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-LEADLESS
251R14S6R8DV4T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，从而提升系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，使得动态损耗更低，特别适合高频应用。
3. 高额定电流能力，能够在重负载条件下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间，同时保持优异的散热性能。
6. 内置静电防护功能，提高了器件的可靠性。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. DC-DC 转换器中作为同步整流或主开关使用。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
5. 汽车电子系统，如启动停止系统、LED 照明控制等。
6. 工业自动化设备中的功率调节和驱动模块。
IRF2807Z, FDP14N60C, STP14NM60E
