NJVMJD3055T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件设计用于高效率、高可靠性和高耐压性能,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):约 40mΩ(典型值,具体取决于 Vgs)
功率耗散(Pd):130W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)
NJVMJD3055T4G 具有优异的导通和开关性能,采用先进的平面工艺制造,确保了器件的高可靠性和长寿命。
其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
该 MOSFET 支持高栅源电压(±20V),提高了在高噪声环境下的抗干扰能力。
此外,其高功率耗散能力(130W)使其能够在高温环境下稳定运行。
该器件的封装形式(如 TO-220 和 D2PAK)适用于多种 PCB 安装方式,并具有良好的热管理性能。
内部结构设计优化,减少了寄生电容,提高了开关速度和动态响应能力。
符合 RoHS 标准,适用于绿色环保的电子产品设计。
NJVMJD3055T4G 广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化控制设备以及消费类电子产品中的电源模块。
在开关电源中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的能量转换。
在电机控制电路中,它用于 PWM 控制和负载切换,提供稳定的输出和低损耗运行。
在电池管理系统中,NJVMJD3055T4G 可用于充放电控制,确保电池的安全和高效运行。
此外,它还适用于 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电动工具等高功率应用场合。
由于其高可靠性,也常用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制电路。
IRFZ44N, FDPF3055, FQP30N06L, IRLZ44N