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NJVMJD3055T4G 发布时间 时间:2025/9/3 17:20:33 查看 阅读:7

NJVMJD3055T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件设计用于高效率、高可靠性和高耐压性能,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):16A
  导通电阻(Rds(on)):约 40mΩ(典型值,具体取决于 Vgs)
  功率耗散(Pd):130W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK(取决于具体型号后缀)

特性

NJVMJD3055T4G 具有优异的导通和开关性能,采用先进的平面工艺制造,确保了器件的高可靠性和长寿命。
  其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
  该 MOSFET 支持高栅源电压(±20V),提高了在高噪声环境下的抗干扰能力。
  此外,其高功率耗散能力(130W)使其能够在高温环境下稳定运行。
  该器件的封装形式(如 TO-220 和 D2PAK)适用于多种 PCB 安装方式,并具有良好的热管理性能。
  内部结构设计优化,减少了寄生电容,提高了开关速度和动态响应能力。
  符合 RoHS 标准,适用于绿色环保的电子产品设计。

应用

NJVMJD3055T4G 广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化控制设备以及消费类电子产品中的电源模块。
  在开关电源中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的能量转换。
  在电机控制电路中,它用于 PWM 控制和负载切换,提供稳定的输出和低损耗运行。
  在电池管理系统中,NJVMJD3055T4G 可用于充放电控制,确保电池的安全和高效运行。
  此外,它还适用于 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电动工具等高功率应用场合。
  由于其高可靠性,也常用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制电路。

替代型号

IRFZ44N, FDPF3055, FQP30N06L, IRLZ44N

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NJVMJD3055T4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥8.59000剪切带(CT)2,500 : ¥3.63838卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)60 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)50μA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值1.75 W
  • 频率 - 跃迁2MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装DPAK