TK0430D 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等需要高效能开关的场合。作为一款N沟道增强型MOSFET,TK0430D具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,适用于中高功率的电子系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):140W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-252(DPak)
TK0430D具备多项关键特性,使其在高性能电源应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,提高系统效率。
其次,该器件具有较高的电流承载能力,额定连续漏极电流可达100A,适合用于高功率负载的应用场景。
此外,TK0430D采用TO-252封装,具备良好的散热性能,有助于在高温环境下稳定运行。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和短路耐受能力,增强了其在苛刻工作条件下的可靠性。
最后,由于其栅极驱动电压范围较宽,可兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的功率系统中。
TK0430D常用于多种功率电子系统中,例如:
1. DC-DC转换器:适用于同步整流拓扑,提升转换效率并降低热量产生。
2. 电机驱动电路:由于其高电流能力和低导通电阻,适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动设计。
3. 负载开关:用于电源管理系统中控制高电流负载的通断。
4. 电池管理系统(BMS):作为充放电路径的控制开关,保障系统安全。
5. 工业自动化设备和服务器电源:满足高可靠性和高效率的电源设计需求。
SiS430DN, AO430, TPS430, NTD430N