NHI350AM4 时间：2025/4/28 18:49:52 阅读：2

NHI350AM4是一款高性能的功率MOSFET，采用TO-220封装形式。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率变换电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
　　其内部结构采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了芯片的热性能和电气性能，确保在高负载条件下依然保持稳定的工作状态。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻：4mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　开关时间：ton=15ns, toff=18ns
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

NHI350AM4的主要特性包括低导通电阻设计，可显著降低传导损耗；同时具备快速开关能力，有助于减少开关损耗。此外，该器件还拥有优秀的热稳定性和抗静电能力（ESD防护等级达到8kV以上）。
　　得益于其大电流承载能力和较宽的工作温度范围，这款功率MOSFET非常适合工业控制、汽车电子及消费类电子产品中的功率管理场景。并且其紧凑型封装也便于PCB布局与散热处理。

应用

NHI350AM4广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，例如服务器电源、通信设备电源模块、电动汽车充电桩内的功率调节电路、家用电器如空调压缩机驱动板等。此外，在LED照明驱动电源和不间断电源(UPS)系统中也有出色表现。
　　由于其卓越的动态响应特性和鲁棒性，还可以用于光伏逆变器以及其他形式的可再生能源发电系统的能量转换环节。