时间：2025/9/13 20:57:06
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NHDTC114EUF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的应用场合。该器件采用先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）性能，同时具备良好的热稳定性。NHDTC114EUF 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：11.4mΩ
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=2.5V：15mΩ
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
引脚数：8
NHDTC114EUF 是一款高性能的功率 MOSFET，其采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的导通电阻在 Vgs=4.5V 时仅为 11.4mΩ，在 Vgs=2.5V 时也仅为 15mΩ，这使其在低压驱动应用中表现出色。
此外，NHDTC114EUF 支持高达 6A 的连续漏极电流，并具有 20V 的漏源电压额定值，适合中低电压功率应用。其栅源电压额定值为 ±12V，确保了在不同驱动条件下的稳定性与安全性。该器件的封装为 TSOP，体积小巧，便于集成在空间受限的设计中，同时具备良好的散热性能。
NHDTC114EUF 常见于需要高效能和高稳定性的功率电子系统中。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及各类便携式电子产品中的功率控制单元。此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、电源供应器和 LED 照明驱动电路等应用场景。
Si2302DS, FDN304P, NVTFS5C471NL, NHDTC164KU
