MGA-24106-TR1G 是一款高性能的砷化镓(GaAs)伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT),适用于高频射频和微波应用。该器件采用先进的 GaAs 工艺制造,能够提供卓越的增益、低噪声性能以及出色的线性度。其封装形式为气密封装,确保在恶劣环境下依然保持可靠性和稳定性。
这款晶体管主要用于通信系统中的放大器设计,如卫星通信、点对点无线电、测试设备以及其他需要高频工作的应用场景。
类型:pHEMT
材料:GaAs(砷化镓)
工作频率范围:DC 至 40 GHz
增益:12 dB(典型值)
输出功率(1 dB 压缩点):+22 dBm(典型值)
饱和输出功率:+25 dBm(典型值)
噪声系数:1.5 dB(典型值)
最大栅极偏置电压:-4 V
漏极电压:+3 V 至 +8 V
漏极电流:50 mA(典型值)
封装形式:气密封装
工作温度范围:-55°C 至 +105°C
MGA-24106-TR1G 具有以下显著特性:
1. 高频率覆盖范围,最高可达 40 GHz,适合各种高频射频和微波应用。
2. 出色的增益性能,典型值为 12 dB,在高频条件下仍能维持稳定的增益。
3. 低噪声系数,典型值为 1.5 dB,确保在接收机应用中提供优异的信号质量。
4. 高输出功率能力,能够在 1 dB 压缩点提供 +22 dBm 的输出功率。
5. 宽工作电压范围,支持 +3 V 至 +8 V 的漏极电压,适应多种电源配置。
6. 气密封装设计,增强了器件在高温、高湿等恶劣环境下的可靠性。
7. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +105°C),满足工业级和军事级应用需求。
MGA-24106-TR1G 主要应用于以下领域:
1. 卫星通信系统中的射频放大器设计。
2. 点对点微波无线电系统的前端模块。
3. 军事雷达和电子战设备中的高频放大组件。
4. 测试与测量仪器中的高性能信号源和放大器。
5. 无线基础设施设备中的上变频和下变频放大器。
6. 其他需要高频、高功率和低噪声特性的射频应用。
MGA-24105-TR1G, MGA-24107-TR1G