NHDTC114ETR 是一款由 onsemi(安森美半导体)生产的表面贴装晶体管(SMD晶体管),属于双极性晶体管(BJT)类别。该器件采用P-N-P晶体管结构,适用于各种通用和高频应用。NHDTC114ETR 是一款数字晶体管,集成了一个内置偏置电阻网络,使其在逻辑电路和开关电路中非常有用。该晶体管采用SOT-523封装,便于表面贴装,适用于现代小型电子设备的设计。
晶体管类型:P-N-P
集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):150mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-523
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110至800(根据工作点)
输入电阻(R1):47kΩ
输出电阻(R2):47kΩ
NHDTC114ETR 晶体管的主要特性之一是其内置的偏置电阻网络。该器件的输入和输出端分别集成了47kΩ的电阻,简化了电路设计并减少了外围元件的需求。这种集成设计使其非常适合用于数字逻辑电路、开关电路以及需要简单控制的模拟应用。此外,该晶体管具有较高的开关速度,适用于高频操作,确保在数字系统中实现高效的信号处理。
由于采用SOT-523封装,NHDTC114ETR 具有较小的尺寸,非常适合用于空间受限的设计,如移动设备、可穿戴设备和便携式电子产品。该晶体管的功耗较低,有助于延长电池供电设备的运行时间,同时其工作温度范围广泛(-55°C至150°C),能够适应各种环境条件。
这款晶体管的可靠性较高,符合工业标准,适用于各种电子系统,包括汽车电子、消费类电子和工业控制设备。其内置的电阻网络还提供了额外的保护,防止因外部电路设计不当而引起的损坏。
NHDTC114ETR 主要用于数字逻辑电路和低功耗开关应用。其内置的偏置电阻网络使其特别适用于逻辑电平转换、缓冲器、逆变器以及简单的放大电路。此外,由于其高频特性和低功耗设计,该晶体管也常用于射频(RF)前端模块、传感器接口电路以及便携式电子设备的电源管理电路。
在汽车电子领域,NHDTC114ETR 可用于车载控制单元(ECU)、LED照明系统以及车载信息娱乐系统中的信号处理部分。在消费类电子产品中,它适用于智能手机、平板电脑和智能手表等设备中的开关和逻辑控制电路。同时,该晶体管还可用于工业自动化系统中的继电器驱动、信号调理和传感器接口设计。
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