类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：30A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.12Ω
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

JX2N6192 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：漏源电压最大可达200V，使其适用于中高压应用，如开关电源和电机驱动。
　　2. 低导通电阻：Rds(on) ≤0.12Ω，减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
　　3. 大电流处理能力：最大连续漏极电流为30A，适合高功率负载的开关控制。
　　4. 高功率耗散设计：200W的功耗能力确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　5. 高可靠性：采用高质量封装和内部结构设计，确保在严苛环境下长期稳定运行。
　　6. 宽温度适应范围：可在-55°C至+150°C之间正常工作，适合工业级和汽车级应用需求。
　　7. 简化的栅极驱动：±20V的栅源电压允许使用标准驱动电路，方便设计和集成。

JX2N6192 广泛应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：包括开关电源(SMPS)、UPS不间断电源、电池管理系统等。
　　2. 电机控制：用于直流电机驱动器、电动工具、电动车控制器等场合。
　　3. DC-DC转换器：作为高频开关元件，实现电压变换和功率调节。
　　4. 工业自动化：用于PLC控制模块、工业继电器替代、伺服电机控制等。
　　5. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统、车灯控制等应用。
　　6. 新能源设备：如太阳能逆变器、储能系统控制器等。
　　由于其高可靠性和高效率特性，JX2N6192 是高功率电子系统设计中的理想选择。

2N6192, IRF2807, FDP2832, STP30NF20, FQP30N20