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H27Q2T8CEC9R-BCF 发布时间 时间:2025/9/1 15:57:00 查看 阅读:9

H27Q2T8CEC9R-BCF是一款由SK Hynix(海力士)生产的NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储和高性能数据读写的设备中。该芯片采用TSSOP封装,容量为2GB,支持8位并行接口,适用于工业级和消费类电子产品。

参数

类型:NAND闪存
  容量:2GB
  电压:2.7V - 3.6V
  接口:8位并行接口
  封装:TSSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C

特性

H27Q2T8CEC9R-BCF是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片,采用了先进的非易失性存储技术,确保在断电情况下数据依然能够可靠保存。该芯片支持8位并行接口,数据传输速率较高,适合需要快速读写的应用场景。
  其工作电压范围为2.7V至3.6V,具有较宽的电源适应性,能够在多种电源环境下稳定工作。此外,H27Q2T8CEC9R-BCF支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛的工业环境和户外设备。
  这款芯片采用TSSOP封装形式,体积小巧,便于在空间受限的电路板上布局,同时也有助于提高系统的整体可靠性。H27Q2T8CEC9R-BCF广泛应用于嵌入式系统、存储卡、USB闪存盘、工业控制设备以及消费类电子产品中。
  由于其高可靠性和兼容性,该芯片也常被用于汽车电子、医疗设备和安防监控等对数据存储要求较高的领域。H27Q2T8CEC9R-BCF的设计充分考虑了耐用性和错误校正能力,能够有效延长存储设备的使用寿命,并确保数据完整性。

应用

H27Q2T8CEC9R-BCF NAND闪存芯片广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备,如工业控制主板、车载导航系统、数字监控设备、智能家电、手持终端设备以及各类数据存储模块。其高可靠性和宽温工作特性使其特别适用于工业和汽车电子领域。

替代型号

H27U1G8F5DTR-BCB、H27U1G8F5CTR-BCB、H27Q1T8CDF0R-BCB

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