时间：2025/5/20 18:18:22
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NGTB45N60SWG是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-247封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压和高电流应用中。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。
型号：NGTB45N60SWG
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-247
最大漏源极电压（Vds）：600V
最大栅源极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：45A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：360W
工作温度范围：-55℃至+175℃
NGTB45N60SWG具有优异的电气性能和可靠性。
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景，例如工业电源和逆变器系统。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，能有效降低开关损耗。
4. 强大的电流承载能力（高达45A），适用于高负载需求的应用。
5. 耐热增强型TO-247封装设计，具备良好的散热性能。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），能够在恶劣环境下稳定运行。
这些特性使NGTB45N60SWG成为需要高效能量转换和控制应用的理想选择。
NGTB45N60SWG主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种工业和消费类电子产品的功率管理模块。
由于其高电压和大电流处理能力，它非常适合在需要高性能功率转换的场合使用。
NTBG45N60, IRFP460, STW97N60
