时间：2025/6/14 19:00:49
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NGTB40N120L3WG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Nexperia（前身为恩智浦半导体）生产。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种工业和汽车应用。其额定电压为 1200V，连续漏极电流为 40A（在特定条件下），非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及太阳能逆变器等场景。
这款芯片的设计优化了热性能和电气性能之间的平衡，同时封装形式紧凑，便于集成到各种系统中。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2000pF
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力：NGTB40N120L3WG 的漏源电压高达 1200V，使其能够承受高电压环境下的工作需求。
2. 低导通电阻：典型导通电阻为 150mΩ，降低了功率损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的结温范围，适合极端条件下的应用。
5. 紧凑封装：TO-247 封装提供了良好的散热性能，并且易于安装与维护。
6. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保在各种工业和汽车应用场景中的稳定运行。
1. 工业电源：包括不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热装置。
2. 新能源领域：如太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 电动汽车：应用于电动车充电器、车载 DC-DC 转换器以及电机控制器。
4. 开关模式电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管。
5. 电机驱动：控制大功率电机的启停及速度调节。
6. 高压 DC-DC 转换器：实现高效能量转换。
NTBG40N120L3G, IRFP460, FDP18N120
