时间：2025/9/14 5:24:55
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PEMB17,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET晶体管。该器件主要用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、电机控制和工业自动化等场景。PEMB17,115采用先进的制造工艺，确保在高频率工作条件下仍能保持稳定性能。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 60V
栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 170A
导通电阻(Rds(on)): 2.7mΩ
封装类型: TO-263
工作温度范围: -55°C至175°C
功耗(Pd): 160W
PEMB17,115是一款高性能的功率MOSFET，具有极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。其高电流承载能力和耐压特性使其适用于高功率密度设计。该器件的封装形式为TO-263，便于安装在PCB上，并支持表面贴装技术(SMT)，提高生产效率。此外，PEMB17,115具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。其栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容，简化设计复杂度。该MOSFET适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗并提升整体系统效率。此外，其坚固的结构设计确保在恶劣环境下也能稳定工作。
PEMB17,115广泛应用于各种高功率电子系统，如直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于电源管理和负载开关控制领域。在高性能电源供应器中，PEMB17,115可用于同步整流、功率因数校正(PFC)和高频逆变器等关键电路中。此外，它还可用于智能电网设备、UPS不间断电源系统和太阳能逆变器等绿色能源解决方案。
IRF1405, STP170N8F7AG, FDP170N08A
