您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMP2004DMK-7

DMP2004DMK-7 发布时间 时间:2025/7/16 16:54:51 查看 阅读:9

DMP2004DMK-7 是一款 N 沣道 场效应晶体管(N-MOSFET),采用小型封装设计,适用于多种电源管理应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力,广泛用于消费电子、工业设备和通信系统中的功率转换和负载切换。
  其出色的性能使得它在空间受限的应用中成为理想选择,同时还能满足高效能和低功耗的设计需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻:5mΩ
  总功耗:1.1W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:DFN2020-6

特性

DMP2004DMK-7 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少传导损耗并提升效率。
  2. 采用 DFN2020-6 小型封装,节省 PCB 空间。
  3. 高电流处理能力,支持高达 4.8A 的连续漏极电流。
  4. 快速开关速度,适合高频应用。
  5. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  6. 具备出色的热稳定性和可靠性,确保长期使用无故障。

应用

这款 MOSFET 器件通常应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统的负载开关。
  3. 电机驱动电路中的驱动元件。
  4. 便携式电子设备中的电源管理。
  5. 过流保护和短路保护电路。
  6. 工业控制和自动化设备中的信号调节与功率传输。

替代型号

DMP2004UFCS-7
  DMP2004UMT-7
  NTMFS4C61G

DMP2004DMK-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMP2004DMK-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C550mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C900 毫欧 @ 430mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds175pF @ 16V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)