时间：2025/4/28 20:13:26
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NGTB40N120FL3WG 是一款由 Nexperia（前身为恩智浦半导体的一部分）生产的 N 沣道通晶体管，属于 MOSFET 类型。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种器件通常用于各种高效能功率转换应用中，例如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。
类型：N-channel MOSFET
最大漏源电压 Vds：1200V
最大连续漏极电流 Id：40A
导通电阻 Rds(on)：125mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷 Qg：86nC（典型值）
总电容 Ciss：3170pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DPAK (TO-263)
功耗：取决于实际电路设计
NGTB40N120FL3WG 采用先进的沟槽技术，提供出色的电气性能。其低导通电阻确保了在高电流应用中的效率最大化，并减少热量产生。
这款 MOSFET 具有快速开关特性，能够降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
此外，其高达 1200V 的漏源电压使其适用于高压环境下的功率转换系统。
由于其能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内工作，因此适用于各种工业和汽车环境。
NGTB40N120FL3WG 广泛应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动
3. 工业自动化设备
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电系统
6. 高压 DC-DC 转换器
7. PFC（功率因数校正）电路
由于其高电压能力和高效率，该器件成为许多高压应用的理想选择。
NTB40N120N3G
IPW40N120C3
IXTH40N120P3
