时间：2025/4/29 9:33:15
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NGTB20N120IHTG是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的高压MOSFET，采用TO-247封装形式。这款MOSFET主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域，具备低导通电阻和高耐压的特点，能够满足高效能功率转换的需求。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有1200V的额定击穿电压，可以承受较高的漏源电压，非常适合用于工业及汽车级应用环境。
最大漏源电压：1200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：20A
导通电阻：350mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：240W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
NGTB20N120IHTG具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，适用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，可实现高频操作。
4. 强劲的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 宽广的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
总体而言，这款MOSFET以其优异的电气性能和可靠性，成为高电压功率转换电路的理想选择。
NGTB20N120IHTG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器控制。
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电设备。
4. 高压负载切换和保护电路。
5. 汽车电子中的各类高压驱动电路。
由于其高耐压特性和大电流承载能力，它特别适合需要处理高电压、大功率的应用场景。
NTBFS20N120HFT1G, IRGB20B120D2, FGA20N120AMD
