时间：2025/9/1 20:04:22
阅读：9
HY5PS1G431CFP-S6 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器（PSRAM）芯片。PSRAM结合了DRAM的低成本和高密度优势与SRAM的易用性，使其成为许多嵌入式系统和便携式设备的理想选择。该型号的HY5PS1G431CFP-S6容量为1Gb（128MB），工作电压为1.8V，采用高性能的CMOS工艺制造，并支持自动刷新和自刷新功能以降低功耗。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、工业控制系统等领域。
容量：1Gb
电压：1.8V
封装：TSOP
数据宽度：16位
工作温度：-40°C至85°C
封装尺寸：54-pin
接口类型：异步
刷新模式：自动刷新、自刷新
最大访问时间：5.4ns（约185MHz）
功耗：低功耗设计，支持深度掉电模式
HY5PS1G431CFP-S6具备高性能和低功耗的特点，使其非常适合需要高存储密度但功耗受限的应用。其异步接口支持灵活的时序控制，允许与多种处理器和控制器无缝连接。该芯片内置自动刷新和自刷新功能，能够在保持数据完整性的同时显著降低功耗，延长电池寿命。此外，它还支持深度掉电模式，进一步减少在非工作状态下的功耗。其16位数据宽度和高速访问时间确保了快速的数据读写能力，适用于需要快速响应的场景。该芯片的封装为54引脚TSOP，便于在空间受限的设备中实现高密度存储解决方案。此外，其宽温工作范围（-40°C至85°C）也确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
HY5PS1G431CFP-S6广泛应用于便携式消费电子产品，如智能手机和平板电脑，作为临时缓存或主存储器扩展。同时，它也被用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、医疗仪器和汽车电子系统中，满足这些系统对高密度存储和低功耗的需求。
IS66WV102416FFALL、AP66WV102416FGALL、ISSI66WV102416FBLL-SI
