电容值：100nF (104表示10 x 10^4 pF = 100nF)
　　容差：±5% (J表示容差等级)
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G (NP0) 或 X7R（具体需参考数据手册）
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　温度系数：±30ppm/°C（若为C0G介质）

AP101C104JQB2A 陶瓷电容器以其高稳定性和低电容变化率著称，这使其在高精度和高温应用中表现优异。该电容器的介质材料通常为C0G（NP0）或X7R，其中C0G提供了更高的温度稳定性和更低的损耗，适用于高频电路和滤波器应用。X7R则具有较高的电容密度，适合在电源去耦和旁路应用中使用。
　　其额定电压为50V，确保在多种工作条件下保持稳定运行。该电容器的容差为±5%，这意味着其实际电容值与标称值之间的偏差较小，非常适合需要高精度的电路设计。
　　此外，AP101C104JQB2A采用1210（3225公制）封装，适合表面贴装技术（SMT），提高了PCB组装效率。工作温度范围从-55°C到+125°C，使其能够在极端环境条件下可靠工作，适用于工业和汽车电子等高要求的应用场景。

AP101C104JQB2A 陶瓷电容器广泛应用于多个领域，包括工业控制系统、汽车电子、电源模块、高频通信设备以及测试和测量仪器。在电源管理电路中，它常用于去耦和旁路电容，以降低高频噪声并提高系统稳定性。由于其高稳定性和低损耗，该电容器也常用于滤波器设计和振荡电路中，确保信号的准确性和稳定性。
　　在汽车电子系统中，例如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和传感器模块，该电容器能够提供可靠的电气性能，满足汽车环境下的高要求。此外，在工业自动化设备中，它也常用于滤波和信号处理，以确保设备的稳定运行。

TDK C0805C104J5RACTU
　　KEMET C2012X5R1H103K
　　Vishay VJ1206Y104KXFCT1X