NGTB15N60S1EG 时间：2025/4/29 18:20:06 阅读：23

NGTB15N60S1EG 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件部门）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该型号采用 TO-263 (DPAK) 封装形式，具有高效率、低导通电阻以及出色的开关性能，广泛应用于各种功率转换和负载控制领域。
　　这款 MOSFET 的最大特点是其额定电压为 600V，适合在高压环境中使用，并且其导通电阻较低，能够减少功率损耗，提高系统效率。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：1.4Ω
　　栅极电荷：9nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-263 (DPAK)
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NGTB15N60S1EG 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其 600V 的漏源电压使其非常适合应用于需要高电压的场景，例如工业电源、逆变器和电机驱动等。
　　2. 低导通电阻：1.4Ω 的典型导通电阻降低了传导损耗，提高了整体能效，尤其在大电流应用中表现优异。
　　3. 快速开关性能：得益于其低栅极电荷（9nC），该 MOSFET 可以实现快速开关操作，从而减少开关损耗并提升高频应用中的效率。
　　4. 高可靠性：采用坚固的设计和严格的制造工艺，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　5. 紧凑封装：TO-263 封装提供了良好的散热性能，同时节省了 PCB 空间。

应用

NGTB15N60S1EG 适用于多种功率电子应用，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流电路。
　　2. 电机驱动：适用于各类直流电机的驱动和控制。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备中作为关键功率元件。
　　4. 工业自动化：如固态继电器、电磁阀驱动等。
　　5. 汽车电子：可用于汽车照明、启动电机控制等领域。
　　6. 电池保护：在电池管理系统中提供过流保护和充放电控制功能。