时间：2025/7/23 2:00:28
阅读：7
L6387ED013TR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高边MOSFET驱动器芯片，主要用于驱动N沟道功率MOSFET。该芯片采用了高压工艺制造，能够在高电压条件下稳定工作，适合用于半桥、全桥和同步整流等拓扑结构。L6387ED013TR采用紧凑型TSSOP封装，适用于需要高效率和高性能的电源转换应用。
工作电压范围：8V至18V
输出电流能力：高端驱动电流典型值为200mA，低端驱动电流典型值为400mA
最大工作频率：1MHz
输入逻辑阈值：CMOS兼容
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：TSSOP-14
L6387ED013TR具备多种关键特性，使其在高边MOSFET驱动器领域表现出色。首先，该器件采用了自举供电技术，能够有效驱动高边N沟道MOSFET，从而降低系统成本并提高效率。自举二极管集成在芯片内部，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性。
其次，L6387ED013TR具有宽工作电压范围（8V至18V），使其适用于多种电源拓扑结构，包括DC-DC转换器、电机驱动器和同步整流电路。其高边和低边驱动器均具备快速的上升和下降时间，能够有效减少开关损耗，提高转换效率。
此外，该芯片具备欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全工作阈值时，芯片会自动关闭输出，防止MOSFET在非理想条件下工作，从而保护系统免受损坏。同时，L6387ED013TR还具有过热保护功能，当芯片温度过高时会自动关闭输出，防止热失控。
由于采用了TSSOP-14封装，L6387ED013TR具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的应用场景。该封装还具备良好的散热性能，有助于提高芯片在高负载条件下的稳定性。
最后，L6387ED013TR的输入信号兼容CMOS逻辑电平，可以与多种控制器（如MCU、PWM控制器等）直接连接，简化了外围电路设计。该芯片还具备交叉传导保护功能，确保高边和低边MOSFET不会同时导通，避免直通电流造成的损坏。
L6387ED013TR广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、H桥电机驱动器以及各种类型的功率MOSFET驱动电路。在电动汽车和工业电源系统中，L6387ED013TR可用于驱动高边MOSFET，实现高效的能量转换。此外，该芯片还可用于LED驱动器、电源管理模块和高频功率转换器等场景，满足对高效能、小尺寸和高可靠性的需求。
L6387E、L6384ED、FAN7387、IRS2104、LM5101B
