时间：2025/5/13 14:28:43
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BSP75NHUMA1是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件由英飞凌（Infineon）生产，具有低导通电阻和高开关速度的特性，广泛应用于功率转换、电机驱动以及电源管理等场景。其设计旨在满足高效率和高性能的需求，同时提供出色的热性能。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：75A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：45nC
最大功耗：250W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
BSP75NHUMA1具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗，提高系统效率。同时，它的高栅极电荷与优化的开关特性使其在高频应用中表现出色。
此外，该器件支持宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。TO-263封装也提供了良好的散热性能，便于集成到紧凑型设计中。
BSP75NHUMA1还具备优异的雪崩能力和抗静电能力，从而增强了其可靠性。
该MOSFET适用于各种高功率密度的应用场合，例如DC-DC转换器、PWM控制器、负载开关、电机驱动器、太阳能逆变器以及其他需要高效功率开关的场景。由于其大电流处理能力和低导通损耗，它特别适合于电动汽车充电系统和工业自动化设备中的功率控制模块。
BSC075N2L5GSA1E
BSP75NHUMAD1
IRFP2907ZPbF
