时间：2025/4/30 19:16:03
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NGTB15N120FL2WG是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK88 封装，适用于高效率、高密度的功率转换应用。其额定电压为 120V，连续漏极电流为 15A，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换等场景。
这款功率 MOSFET 集成了超低 RDS(on) 技术，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。此外，LFPAK88 封装具备出色的散热性能，可以支持更高的功率密度。
额定电压：120V
连续漏极电流：15A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：27nC（典型值）
最大工作结温：175℃
封装类型：LFPAK88
存储温度范围：-55℃ 至 175℃
NGTB15N120FL2WG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. LFPAK88 封装提供卓越的热性能和电气性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
5. 支持高电流密度，同时保持较小的芯片尺寸。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作环境。
7. 低反向恢复电荷（Qrr），有助于降低开关损耗。
NGTB15N120FL2WG 广泛应用于以下领域：
1. 电动车和混合动力车中的电机控制及车载充电器。
2. 工业设备中的开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 消费类电子产品的适配器和充电器。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
5. 电信基础设施中的高效电源模块。
6. 家用电器中的电机驱动和电源管理。
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换系统。
NTBG15N120L2G, IPW150N120P4L
