型号: 4470VVUBPDES
　　制造商: Vishay Siliconix
　　器件类型: N 沟道 MOSFET
　　封装/封装形式: PowerPAK? SO-8
　　漏源电压（Vds）: 30 V
　　栅源电压（Vgs）: ±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C: 17 A
　　脉冲漏极电流（Idm）: 68 A
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs = 10 V: 4.7 mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs = 4.5 V: 5.9 mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs = 2.5 V: 8.5 mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）: 1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）@ 10 V: 27 nC
　　输入电容（Ciss）: 1350 pF
　　输出电容（Coss）: 470 pF
　　反向恢复时间（trr）: 17 ns
　　工作结温范围: -55°C ~ +150°C
　　安装类型: 表面贴装（SMD）
　　是否符合 RoHS: 是

4470VVUBPDES 采用 Vishay 先进的沟槽型场效应晶体管技术，具有极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs = 10 V 条件下仅为 4.7 mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这一特性使其特别适用于大电流、低电压的电源转换应用，例如笔记本电脑、移动设备和服务器中的同步降压转换器。低 Rds(on) 还有助于减少发热，提升系统的长期可靠性，尤其是在高负载持续运行的情况下。
　　该器件具有优化的栅极电荷（Qg）特性，典型值为 27 nC（在 Vgs = 10 V 时），结合较低的输入电容（Ciss = 1350 pF），可在高频开关操作中大幅降低驱动功耗。这对于现代高频率 DC-DC 变换器至关重要，因为它允许使用更小的磁性元件和滤波电容，从而实现更高功率密度的设计。同时，较低的驱动需求也减轻了控制器的负担，有助于简化驱动电路设计。
　　4470VVUBPDES 具备出色的热性能，得益于其 PowerPAK? SO-8 封装结构，该封装去除了传统引线框架顶部的焊料空洞问题，增强了从芯片到 PCB 的热传导路径。这种设计可有效将热量传递至散热焊盘或外部铜层，提升散热效率，确保在高功率密度环境下仍能稳定运行。此外，该封装尺寸小巧（约 5 mm × 6 mm），适合空间受限的高集成度电路板布局。
　　该 MOSFET 支持逻辑电平驱动，在 Vgs = 4.5 V 或更低电压下即可充分导通，适用于由 3.3 V 或 5 V 控制信号直接驱动的应用，无需额外的电平转换电路。其阈值电压范围为 1.0 V 至 2.0 V，保证了良好的开启一致性与噪声裕量。器件还具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅氧层设计，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供更高的鲁棒性，减少意外失效的风险。
　　总体而言，4470VVUBPDES 在性能、尺寸与可靠性方面达到了良好平衡，是现代高效能电源系统中理想的功率开关选择。

4470VVUBPDES 广泛应用于需要高效率、高电流密度和快速开关响应的电力电子系统中。其典型应用场景包括同步整流型 DC-DC 降压变换器（Buck Converter），尤其用于主板供电、CPU 核心电压调节模块（VRM）以及 GPU 供电单元。由于其低导通电阻和优异的开关特性，能够显著提升转换效率，减少能量损耗，满足现代计算平台对节能和散热的严苛要求。
　　该器件也常用于电池供电系统中的负载开关或电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。在此类应用中，MOSFET 作为通断控制元件，利用其低 Rds(on) 特性来最小化电压降和功耗，延长电池续航时间。同时，其快速开关能力可用于实现精确的电源域上电/掉电时序控制。
　　在电机驱动电路中，4470VVUBPDES 可作为 H 桥或半桥拓扑中的低端或高端开关，适用于小型直流电机、步进电机或风扇控制。其高脉冲电流能力（可达 68 A）使其能够应对电机启动或堵转时的瞬态大电流冲击，保障系统稳定运行。
　　此外，该器件还可用于热插拔控制器、OR-ing 二极管替代方案、逆变器和 LED 驱动电源等场合。凭借其高可靠性、小型封装和优良热性能，4470VVUBPDES 成为工业控制、通信设备和消费类电子产品中广泛采用的关键功率元件。

SiSS047DN-T1-GE3,Si7850DP,TSM2304NC1,PMBT2304,DMG2304U