LMBR180FT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier)。该器件设计用于高效的功率转换和整流应用,具备低正向压降和快速开关特性,适用于高频率工作环境。LMBR180FT1G 采用紧凑的SMB(DO-214AA)封装形式,适用于空间受限的电子设备,如电源适配器、电池充电器、DC/DC转换器以及各种消费类电子产品中的电源管理模块。
最大重复峰值反向电压:80V
最大平均整流电流:1A
正向压降(最大值):0.375V @ 0.5A
峰值浪涌电流(最大值):30A
反向漏电流(最大值):5mA @ 80V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SMB(DO-214AA)
LMBR180FT1G 是一款高性能的肖特基二极管,专为高效能电源转换系统而设计。其主要特点之一是低正向电压降,这有助于降低功耗并提高整体效率,尤其是在低电压系统中。该器件的最大重复峰值反向电压为80V,能够承受一定的电压波动,从而提升其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
此外,LMBR180FT1G 的最大平均整流电流为1A,且具备高达30A的峰值浪涌电流能力,使其能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。这种高浪涌能力使其适用于需要应对突发电流的应用场景,例如开关电源和电池充电器。
该器件的反向漏电流在80V下最大为5mA,表明其在反向偏置条件下具有良好的阻断性能,有助于减少能量损耗并提高系统稳定性。
LMBR180FT1G 采用SMB(DO-214AA)封装,具有良好的热管理和机械强度,便于表面贴装(SMT)工艺,适用于自动化生产流程,提高了PCB布局的灵活性和可靠性。
器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种环境条件下的应用,包括工业控制、汽车电子、消费电子等领域。
LMBR180FT1G 主要应用于需要高效整流和低功耗设计的电源系统中。例如,它可用于AC/DC电源适配器中的次级整流电路,以提高转换效率并降低发热;也可用于DC/DC转换器中作为同步整流器的一部分,进一步提升电源转换效率。
此外,该器件广泛用于电池充电器、LED照明驱动电路、便携式电子产品、电源管理模块以及各种工业和消费类电子设备中的电源整流和保护电路中。
由于其优异的热性能和高浪涌电流承受能力,LMBR180FT1G 还常用于高可靠性系统中,如通信设备、自动化控制系统和汽车电子模块,确保在复杂环境下的稳定运行。
1N5819, MBRS140, SR180, MBR0520, RB551V-30