型号：EN25F10
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　架构：串行Flash
　　接口类型：SPI (支持Mode 0和Mode 3)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持25 MHz
　　封装形式：8-SOP / 8-SOIC
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写入耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年
　　页面大小：256字节
　　扇区大小：4KB
　　块大小：64KB
　　是否有状态寄存器：是
　　是否支持JEDEC标准ID读取：是

EN25F10具备高性能的SPI接口，支持最高25MHz的时钟频率，能够实现快速的数据传输速率，满足大多数嵌入式系统对实时性和响应速度的要求。其通信协议遵循标准的SPI主从架构，使用四条信号线：SI（串行输入）、SO（串行输出）、SCK（时钟）和CS#（片选），其中SO引脚支持双I/O模式下的输出功能，提升了接口灵活性。该芯片支持多种读写操作模式，包括普通读取（Read Data Bytes）、快速读取（Fast Read）以及连续读取模式，允许用户根据实际需求选择最优的操作方式以提高效率。
　　在数据安全性方面，EN25F10内置写保护机制，可通过软件指令或硬件W#引脚来启用写保护功能，有效防止因意外上电、噪声干扰或程序错误导致的关键数据被篡改或擦除。其状态寄存器包含多个控制位，用于指示当前设备状态（如忙状态）、写使能锁存、块保护设置等，用户可通过对状态寄存器的读写精确控制系统操作权限。
　　该器件支持全片擦除和按扇区/块擦除两种擦除方式，最小擦除单位为4KB扇区，有利于实现细粒度的数据管理。编程操作以页为单位，每页256字节，支持自动地址递增，简化了大数据写入流程。同时，芯片内部集成了高压生成电路，无需外部提供编程电压，仅需单一电源即可完成所有读写擦操作，降低了系统设计复杂度。
　　EN25F10采用CMOS工艺制造，具有较低的动态功耗和静态电流，在正常工作模式下典型电流约为5mA，在待机模式下可降至数微安级别，而在深度掉电模式（Deep Power-down Mode）下电流更可低至1μA以下，非常适合便携式设备和长期运行的物联网终端应用。此外，其高可靠性的存储单元设计保证了至少10万次的编程/擦除寿命和长达10年的数据保持能力，确保在恶劣环境下的长期稳定性。

EN25F10广泛应用于各类需要外置串行Flash存储器的电子设备中，尤其适合空间受限且对成本敏感的设计场景。常见应用包括消费类电子产品中的固件存储，例如数码相机、MP3播放器、电子玩具和家用电器控制器，用于存放启动代码、配置参数或用户数据。在通信设备领域，该芯片可用于存储网络协议栈、设备标识信息或日志记录，适用于路由器、调制解调器和无线模块等产品。
　　工业控制系统中，EN25F10常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、传感器节点或人机界面（HMI）设备的辅助存储单元，保存校准数据、运行日志或操作程序。由于其良好的温度适应性和抗干扰能力，也适用于汽车电子系统，如车载仪表盘、远程信息处理单元或车身控制模块中，用于存储初始化参数或诊断信息。
　　在物联网（IoT）设备中，该芯片因其小封装、低功耗和高可靠性而受到青睐，广泛用于智能家居节点、无线传感器网络、RFID读写器和远程监控终端。此外，EN25F10还可作为微控制器（MCU）外部扩展存储器，弥补片内Flash容量不足的问题，特别是在需要频繁更新程序代码或存储大量常量数据的应用中表现优异。其标准化接口也便于开发人员进行快速原型设计和批量生产。

W25X10CLSNIG
　　M25P10-VMN6TP
　　SST25VF010B-70-4I-S2A
　　AT25DF161-SH-T