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STS10PF30L 发布时间 时间:2025/12/24 4:46:32 查看 阅读:26

STS10PF30L 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于多种功率转换和控制应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适用于表面贴装技术(SMT),能够提供卓越的电气性能和散热能力。
  STS10PF30L 的额定电压为 30V,最大导通电阻较低,能够在高频条件下实现高效运行。此外,该 MOSFET 具有较高的栅极阈值电压,增强了抗噪能力,降低了误触发的风险。

参数

类型:N沟道功率MOSFET
  额定电压:30V
  最大漏源电流:45A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关时间:典型开启时间 8ns,典型关闭时间 15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装:TO-263 (D2PAK)

特性

STS10PF30L 的主要特性包括:
  1. 额定电压为 30V,适合低至中等电压的应用环境。
  2. 极低的导通电阻(9mΩ),可显著降低导通损耗,提高系统效率。
  3. 栅极电荷较小(27nC),有助于实现快速开关操作。
  4. 表面贴装封装(TO-263/D2PAK),便于自动化生产和安装。
  5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),确保在极端环境下依然可靠。
  6. 高栅极阈值电压,提升了抗干扰能力,减少了误触发的可能性。
  这些特性使 STS10PF30L 成为直流电机驱动、电源管理以及开关电源设计中的理想选择。

应用

STS10PF30L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. 电池管理系统(BMS),特别是电动车和储能设备。
  4. 工业自动化设备中的功率开关。
  5. LED 照明驱动电路。
  由于其低导通电阻和高开关速度,该器件特别适合需要高效率和快速动态响应的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, BUK7Y0R4-30E

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STS10PF30L参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称497-4120-2