IS43DR16320D-25DBL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类别。该器件具有16位数据总线宽度和32Mbit的存储容量,采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性等特点,适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等领域。
容量:32Mbit
组织结构:16位x2M
工作电压:2.3V至3.6V
访问时间:25ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据保持电压:1.5V(最小)
待机电流:最大10mA
工作电流:最大160mA
IS43DR16320D-25DBL具备多项高性能特性。首先,其25ns的访问时间确保了快速的数据读写能力,适用于对响应速度有较高要求的应用场景。其次,该芯片支持低功耗待机模式,在待机状态下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)增强了设计灵活性,适用于多种供电环境。该器件采用CMOS技术制造,不仅功耗低,而且抗干扰能力强,适用于高可靠性系统。IS43DR16320D-25DBL还支持数据保持模式,在数据保持电压不低于1.5V时仍能维持数据的完整性,非常适合需要长时间数据保存的场合。最后,其TSOP封装形式具有体积小、散热性能好等优点,便于在空间受限的设计中使用。
这款DRAM芯片的引脚设计兼容行业标准,简化了与主控芯片的接口设计。其54引脚TSOP封装在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)保持稳定工作性能,适用于各种严苛环境下的应用。此外,该器件具备较高的抗静电能力,增强了在运输和使用过程中的可靠性。
IS43DR16320D-25DBL广泛应用于多种需要中等容量高速存储器的电子系统中。例如,在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备、工业计算机和自动化设备中的高速缓存或主存。在通信设备方面,该器件适用于路由器、交换机、基站设备和光模块等对数据传输速度和稳定性要求较高的场景。此外,它也可用于网络设备中的数据缓冲存储器,提升数据处理效率。嵌入式系统方面,IS43DR16320D-25DBL可作为图像处理模块、视频采集卡、医疗设备和智能终端的存储单元。同时,由于其宽电压和工业级温度适应性,也适用于车载电子系统、安防监控设备和便携式测试仪器等复杂环境中的应用。
IS43DR16320B-25DBL, IS43DR16320C-25DBL, CY7C1041GN30-25BAI, IS42S16320B-25DBL