时间：2025/7/16 18:21:23
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NGD8201N是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低电压N沟道MOSFET，专为高效率电源管理和负载开关应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，使其适用于电池供电设备、DC-DC转换器、电机驱动器及各种便携式电子产品中。NGD8201N采用DFN5封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：8A
RDS(on)（最大值）：17mΩ @ VGS = 10V
阈值电压(VGS(th))：1.4V ~ 2.5V
功耗(PD)：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN5
NGD8201N具备出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻显著降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的抗雪崩能力，能够在严苛的工作条件下稳定运行。器件的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频操作环境。DFN5封装提供了优异的散热性能，并且无铅环保，符合RoHS标准。
该MOSFET还具备良好的线性工作区控制能力，适用于需要精确电流调节的应用场合。其稳定的栅极氧化层设计确保了长期工作的可靠性，同时在高温环境下仍能维持较低的导通压降。NGD8201N通过优化的设计实现了卓越的EMI（电磁干扰）性能，有助于减少外部滤波元件的需求，从而降低整体系统成本。
在实际应用中，NGD8201N表现出优秀的耐用性和稳定性，能够承受短时间的过载和瞬态冲击。其低门电荷(Qg)特性进一步提升了开关速度和能效，特别适合用于高效同步整流和负载切换电路。
NGD8201N广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于移动电源、笔记本电脑适配器、LED照明驱动、工业自动化设备、通信基础设施以及智能家电等场景。它也可用于H桥电机驱动、电池保护电路、热插拔电源控制等领域。
SiSS14DN, BSC080N03LS G, FDS6680, AO4406A
