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TGF2023-05 发布时间 时间:2025/8/16 9:20:47 查看 阅读:6

TGF2023-05 是一款由 Teledyne Technologies 推出的高性能、宽带、GaAs(砷化镓)工艺制造的 MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA)。该器件专为在2 GHz至20 GHz的宽频率范围内提供高增益和低噪声系数而设计,适用于雷达、测试设备、通信系统和电子战等高频应用。TGF2023-05 采用5V单电源供电,具有良好的线性度和稳定性,能够在复杂的电磁环境中提供可靠的信号放大性能。

参数

工作频率:2 - 20 GHz
  增益:> 20 dB
  噪声系数:< 2.5 dB
  输出IP3:+18 dBm
  工作电压:5V
  电流消耗:150 mA
  封装类型:Die
  输入/输出阻抗:50Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

TGF2023-05 是一款基于 GaAs 工艺的 MMIC 低噪声放大器,具备优异的宽带性能和稳定性。其工作频率范围覆盖2 GHz至20 GHz,适合多种微波和毫米波应用。该器件在全频段内提供超过20 dB的高增益,并保持低于2.5 dB的噪声系数,确保了信号的高保真放大。TGF2023-05 的输出三阶交调截获点(IP3)可达+18 dBm,表现出良好的线性度,使其适用于需要高动态范围的系统。该放大器采用5V单电源供电,典型电流消耗为150 mA,功耗较低,适合电池供电或高能效系统设计。其封装形式为裸片(Die),便于集成到紧凑型高频电路中。TGF2023-05 还具备良好的温度稳定性,可在-55°C至+125°C的宽温度范围内可靠工作,适用于航空航天、军事和工业等严苛环境。此外,该器件内部已集成输入和输出匹配网络,简化了外部电路设计,降低了系统复杂度。
  在制造工艺方面,TGF2023-05 采用先进的 GaAs MMIC 技术,确保在高频下仍具有优异的性能。GaAs 材料的优势在于其高电子迁移率和良好的高频特性,使其成为微波和毫米波电路的理想选择。该芯片通过优化设计,在高频段实现了低插入损耗和高反射损耗,提升了整体系统灵敏度和稳定性。此外,TGF2023-05 的输入和输出端口均具备良好的回波损耗匹配,减少了信号反射,提高了系统整体效率。

应用

TGF2023-05 主要应用于需要宽带、低噪声放大的高频系统,如军用雷达、电子战设备、测试测量仪器、卫星通信、微波接收机和无线基础设施等。由于其优异的性能和宽频带特性,该器件也适用于多种科研和工业领域的高频信号处理系统。

替代型号

HMC714LC5A, TGA4512-BLK

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TGF2023-05参数

  • 制造商TriQuint
  • 技术类型HEMT
  • 频率18 GHz
  • 增益15 dB
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 闸/源击穿电压- 3 V
  • 漏极连续电流1.5 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体5-Pin-Die
  • P1dB44 dBm
  • 零件号别名1068839