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NGB8202ANTF4G 发布时间 时间:2025/6/30 9:31:04 查看 阅读:6

NGB8202ANTF4G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要快速开关和低导通电阻的电路中。其封装形式为SOT-23,具有较小的尺寸和较高的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:3.5pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

NGB8202ANTF4G具备极低的导通电阻,能够有效降低电路中的能量损耗,提高整体效率。
  同时,该器件支持快速开关操作,拥有较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关过程中的能量损失。
  此外,它在高温环境下依然保持稳定的性能,非常适合对温度敏感的应用场合。
  SOT-23封装形式不仅节省了PCB空间,还提供了良好的散热性能。

应用

该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。典型应用包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统
  4. 电机驱动电路
  5. 便携式设备中的负载开关

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NGB8202ANTF4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)440 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)50 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.9V @ 4.5V,20A
  • 功率 - 最大值150 W
  • 开关能量-
  • 输入类型逻辑
  • 栅极电荷-
  • 25°C 时 Td(开/关)值-/5μs
  • 测试条件300V,9A,1 千欧,5V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)