NGB8202ANTF4G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要快速开关和低导通电阻的电路中。其封装形式为SOT-23,具有较小的尺寸和较高的热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:3.5pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
NGB8202ANTF4G具备极低的导通电阻,能够有效降低电路中的能量损耗,提高整体效率。
同时,该器件支持快速开关操作,拥有较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关过程中的能量损失。
此外,它在高温环境下依然保持稳定的性能,非常适合对温度敏感的应用场合。
SOT-23封装形式不仅节省了PCB空间,还提供了良好的散热性能。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。典型应用包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统
4. 电机驱动电路
5. 便携式设备中的负载开关