时间：2025/4/28 11:12:40
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NDSH25170A 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高效率功率转换和开关应用设计。它采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、电池保护电路和负载开关等。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，支持高频开关操作，并且具备良好的热性能，有助于提高系统的整体效率和可靠性。
型号：NDSH25170A
类型：N 沟道 MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：48 A
导通电阻（Rds(on)）：1.6 mΩ
总栅极电荷（Qg）：29 nC
开关频率：高达 1 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NDSH25170A 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），这使其在大电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。
此外，它还具备以下优势：
- 高电流承载能力，可支持高达 48 A 的连续漏极电流。
- 较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
- 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
- 小型化封装设计，适合空间受限的应用环境。
- 内置 ESD 保护功能，提高了器件的鲁棒性。
这些特点使得 NDSH25170A 成为高效功率转换和开关应用的理想选择。
NDSH25170A 广泛应用于需要高效功率管理和开关操作的场景，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统（BMS）
- 电机驱动电路
- 通信设备中的负载开关
- 工业自动化系统中的功率控制模块
凭借其优异的性能和可靠性，NDSH25170A 在各类电子设备中扮演着关键角色。
NDSH25160A
NDSH25180A
IRLZ44N
