时间：2025/9/14 11:06:18
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BUK761R6-40E,118是一款由NXP Semiconductors生产的高性能功率MOSFET器件，属于TrenchMOS技术家族。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源系统。该器件采用标准的TO-220封装形式，具备良好的热管理和电气性能，广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：160A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：1.6mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
BUK761R6-40E,118具有极低的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其TrenchMOS技术确保了在高压条件下仍能保持优异的导通性能和稳定性。此外，该器件具备快速开关能力，减少了开关损耗，适合高频开关应用。该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高功率应用中保持良好的散热性能，确保器件在长时间运行中的可靠性。
这款MOSFET的工作电压为40V，最大漏极电流可达160A，使其适用于高功率负载场景。同时，其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容多种控制电路，便于集成在各种功率管理系统中。由于其出色的电气性能和坚固的封装设计，BUK761R6-40E,118在工业控制、汽车电子和能源管理等领域得到了广泛应用。
BUK761R6-40E,118广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电设备和高功率负载开关等。其优异的导通性能和高电流能力使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。在工业自动化控制、电动汽车电源管理、可再生能源逆变器以及高功率LED照明驱动系统中，该器件均表现出色。此外，该MOSFET还适用于高频率开关应用，如服务器电源、电信设备电源和不间断电源（UPS）系统。
IRFP4468PbF, IPW60R017C7, SiS888DN, BSC016N04LS
