STFI4N62K3 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和高电流能力,适合用于高效能电源设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):620V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4.3A
导通电阻(Rds(on)):典型值2.5Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
STFI4N62K3 具有以下主要特性:
1. **低导通电阻**:Rds(on) 典型值为2.5Ω,降低了导通损耗,提高了系统效率。
2. **高耐压能力**:最大漏源电压为620V,适用于高压电源应用。
3. **高电流能力**:连续漏极电流可达4.3A,适合中等功率应用。
4. **优良的热稳定性**:采用优化封装技术,确保良好的散热性能和长期稳定性。
5. **快速开关特性**:具有较低的输入电容和输出电容,有助于提高开关速度,减少开关损耗。
6. **高可靠性**:经过严格的测试和验证,确保在各种恶劣环境下稳定工作。
7. **广泛应用兼容性**:适用于多种拓扑结构,如Buck、Boost、Flyback等,适合电源适配器、电机驱动、照明电源等应用场景。
STFI4N62K3 广泛应用于以下领域:
1. **开关电源**:用于AC/DC和DC/DC转换器中,提供高效能的功率转换。
2. **电机驱动**:在工业控制和家电中用于控制电机的启停和速度调节。
3. **照明系统**:如LED驱动电源,提供稳定的电流控制。
4. **电池管理系统**:用于电池充放电控制电路,确保电池安全运行。
5. **家用电器**:如电饭煲、微波炉、电磁炉等需要功率控制的场合。
6. **工业自动化**:在PLC、变频器、伺服系统中作为功率开关元件。
7. **新能源领域**:如太阳能逆变器、电动车充电设备等高压功率转换应用。
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