您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NDS9945

NDS9945 发布时间 时间:2024/8/22 14:38:20 查看 阅读:141

SO-8 N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺是专门为提供卓越的开关性能和最小化导通电阻而定制的。这些设备特别适用于低电压应用,如磁盘驱动器电机控制、电池供电电路,需要快速切换、低在线功耗和瞬态电阻。

技术参数

针脚数:8
  漏源极电阻:0.1Ω
  耗散功率:2 W
  阈值电压:.7 V
  输入电容:45 pF
  漏源极电压(Vds):60 V
  上升时间:7.5 ns
  输入电容(Ciss):345pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):900 mW
  下降时间:7 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):2 W

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:8
  封装:SOIC-8

外形尺寸

长度:4.9 mm
  宽度:3.9 mm
  高度:1.57 mm
  封装:SOIC-8

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:工业,电源管理

NDS9945推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NDS9945资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • NDS9945
  • Dual N-Channel Enhancement Mode Fiel...
  • FAIRCHILD
  • 阅览
  • NDS9945
  • Dual N-Channel Enhancement Mode Fiel...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 阅览

NDS9945参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds345pF @ 25V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDS9945TR