SMBJ8.5A R5G 是一款由半导体制造商生产的瞬态电压抑制器(TVS - Transient Voltage Suppressor),属于表面贴装型(SMB封装)的二极管器件。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电流、感应负载切换以及其它瞬态电压的损害。SMBJ8.5A R5G 的设计使其能够快速响应瞬态电压事件,并将电压钳制在安全范围内,从而保护下游电子元件不受损害。该器件广泛应用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、消费类电子产品、汽车电子和工业控制系统等。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS Diode)
封装形式:SMB(DO-214AA)
最大反向截止电压(VRWM):8.5V
击穿电压(VBR):最小9.44V,典型值9.94V
最大钳位电压(VC):13.6V(在30.8A的峰值脉冲电流下)
峰值脉冲电流(IPP):30.8A(8/20μs波形)
最大反向漏电流(IR):≤5μA @ 8.5V
功率耗散:600W(峰值脉冲功率)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
SMBJ8.5A R5G 具备多项优异的电气和物理特性,适用于广泛的电子保护应用。
首先,其最大反向工作电压(VRWM)为8.5V,这意味着它可以在不超过该电压的情况下正常工作,而不会发生导通。当电压超过其击穿电压(VBR)时,器件迅速导通并吸收瞬态能量,从而保护电路。该器件的击穿电压具有较高的精度,最小值为9.44V,典型值为9.94V,确保其在预期电压范围内可靠动作。
其次,SMBJ8.5A R5G 的最大钳位电压(VC)为13.6V,在峰值脉冲电流为30.8A(8/20μs波形)的条件下,这一特性能够有效限制瞬态电压对电路的影响。其高脉冲电流承受能力(高达30.8A)和600W的峰值脉冲功率(PPP)使其能够在恶劣的电磁环境下提供稳定的保护。
SMBJ8.5A R5G 被广泛应用于各种需要瞬态电压保护的电子系统中。例如,在通信设备中,该器件可用于保护以太网接口、RS-485通信线路、USB接口等关键部位,防止因静电放电或雷击感应而引起的电压尖峰损坏芯片。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等,SMBJ8.5A R5G 可用于保护电源接口、数据传输端口以及电池管理系统。
SMBJ8.5AHE3_A/H, SMBJ8.5A-TR, SMBJ8.5A-TAP