类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.3A, 4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:30nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :720pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
其它名称:NDS8958TR