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NDS8958 发布时间 时间:2023/11/6 17:52:42 查看 阅读:167

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.3A, 4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:30nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :720pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
其它名称:NDS8958TR

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  • Dual N & P-Channel Enhancement Mode ...
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NDS8958参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A,4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds720pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDS8958TR